ROHM ha comunicato oggi la disponibilità di sei nuovi MOSFET SiC a struttura trench gate (650 V/1200 V), vale a dire la serie SCT3xxx xR-Serie, ideale per alimentatori per server, sistemi UPS, inverter per fotovoltaico e stazioni di ricarica per veicoli elettrici che necessitano di elevata efficienza.
La serie SCT3xxx xR si avvale di un package a 4 pin (TO-247-4L) che massimizza la prestazione di commutazione, rendendo possibile la riduzione della perdita di commutazione fino al 35% rispetto ai tipi di package a 3 pin convenzionali (TO-247N) e contribuendo al calo del consumo di potenza in un gran numero di applicazioni.
Negli ultimi anni le crescenti esigenze in termini di servizi cloud, riconducibili alla diffusione dell’AI e dell’IoT, hanno aumentato la domanda di centri di elaborazione dati in tutto il mondo. Ma per i server utilizzati nei centri di elaborazione dati una delle sfide più importanti è come ridurre i consumi di potenza, nonostante l’aumento di capacità e performance. Contemporaneamente i dispositivi SiC stanno attirando l’attenzione per l’impiego nei circuiti di conversione di potenza dei server grazie alla perdita più contenuta rispetto ai dispositivi mainstream in silicio. Inoltre, siccome il package TO-247-4L consente di ridurre la perdita di commutazione rispetto ai package convenzionali, se ne prevede l’adozione in applicazioni ad alto rendimento, quali server, base station e generatori di potenza fotovoltaica.
Dal 2015 ROHM è la prima a fornire con successo la produzione in massa dei MOSFET SiC del tipo trench, restando leader del settore per lo sviluppo di questi prodotti. Oltre a questi MOSFET SiC di ultima generazione, ad elevata efficienza e da 650 V/1200 V, ci impegniamo nello sviluppo di dispositivi innovativi e proponiamo soluzioni che contribuiscono a ridurre il consumo di potenza in un gran numero di dispositivi, compresi i circuiti integrati per gate driver, ottimizzati per pilotaggio dei SiC.
ROHM propone anche soluzioni che agevolano la valutazione delle applicazioni, compresa un’evaluation board per MOSFET SiC, mod. P02SCT3040KR-EVK-001, munita di circuiti integrati per gate driver (BM6101FV-C) unitamente a circuiti integrati di potenza multipli e a componenti discreti ottimizzati per il pilotaggio di dispositivi SiC.
Caratteristiche fondamentali
Il package a 4 pin (TO-247-4L) riduce la perdita di commutazione fino al 35%
Con i package a 3 pin convenzionali (TO-247N), la tensione di gate effettiva al chip si riduce per la tensione caduta attraverso l’induttanza parassita del terminale sorgente. È questo il motivo del calo della velocità di commutazione. L’adozione del package TO-247-4L a 4 pin vede la separazione del driver e dei pin della fonte di alimentazione, riducendo al minimo gli effetti della componente dell’induttanza parassita. In tal modo è possibile massimizzare la velocità di commutazione dei MOSFET SiC, riducendo la perdita di commutazione totale (attivazione e disattivazione) fino ad una quota del 35% rispetto al package tradizionale.
