Texas Instruments (TI) presenta nuovi prodotti e progetti per la gestione dell’alimentazione alla Power Conversion, Intelligent Motion (PCIM) Expo and Conference dal 6 all’8 maggio a Norimberga, in Germania. Durante la fiera, TI presenta le sue innovazioni nel campo dei semiconduttori per energia sostenibile, automotive, USB Type-C® e USB Power Delivery (PD), robotica e controllo motori, tra cui:· Il primo controller induttore-induttore-condensatore (LLC) qualificato per il settore automobilistico per la ricarica di veicoli elettrici leggeri: sarà l’occasione per il debutto dell’UCC25661-Q1, il nuovo controller LLC lato primario di TI, presentato su un caricabatterie CA/CC a tre stadi per veicoli elettrici a due ruote. La dimostrazione permette di notare come l’UCC25661-Q1 permette agli ingegneri di progettare un alimentatore elettrico ad alta efficienza e affidabile con il doppio della densità di potenza grazie alle funzionalità integrate e alla tecnologia brevettata Input Power Proportional Control (IPPC) di TI.· Caricabatterie USB PD a doppia porta da 65 W con flyback al nitruro di gallio (GaN) a polarizzazione automatica: TI presenta il primo convertitore flyback al GaN a polarizzazione automatica del settore, l’ UCG28826, con una demo del suo progetto di riferimento per caricabatterie USB PD a doppia porta da 65 W. Progettato per le applicazioni di ricarica rapida di nuova generazione, il convertitore UCG28826 eroga 65 W da 90 VCA a 264 VCA in questo progetto di riferimento e permette di soddisfare rigorosi standard di efficienza, riducendo al minimo il consumo energetico in standby e aumentando la densità di potenza.· Progetto di riferimento per il rilevamento di cortocircuiti con Flex: in collaborazione con il produttore di elettronica Flex, TI presenta un confronto tra diversi metodi basati su shunt, desaturazione e sensori a effetto Hall per il rilevamento di cortocircuiti nei caricabatterie di bordo e nei convertitori CC/CC per automotive. Visitando lo stand, gli ospiti scopriranno come migliorare l’affidabilità dei transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo (MOSFET) in carburo di silicio (SiC) ottimizzando la posizione del rilevamento della corrente, il metodo e la selezione dei componenti, nonché il layout del circuito stampato, al fine di soddisfare i requisiti di sicurezza del cliente finale.
